2，  直接水解法即為法，法是目前國(guó)內(nèi)規(guī)模大的4N級(jí)氧化鋁生產(chǎn)方法。目前河北，廣州有廠家用的是這種方法。只能做工業(yè)寶石和低端藍(lán)寶石。這種工藝的主要缺陷在于無(wú)法再次提純，原料是什么級(jí)別，做出來(lái)的氧化鋁，就是什么級(jí)別，不可能超越原料水平。而且在水解過(guò)程中，為了增加反應(yīng)接觸面積，需要把鋁材加工成片料或者粉料，這個(gè)過(guò)程中容易帶進(jìn)Fe，ti、Ni、Zr等雜質(zhì)。而這兩種雜質(zhì)含量多少對(duì)藍(lán)寶石的品質(zhì)影響非常大。

硅片對(duì)***有什么危害　　硅對(duì)***大的危害是引起。由于長(zhǎng)期大劑量吸入二氧化硅（Si02）粉塵所致。硅塵進(jìn)入呼吸道，被肺巨噬細(xì)胞吞噬，釋放出活性因子，刺激成纖維細(xì)胞合成更多的膠原。硅塵還可刺激巨噬細(xì)胞釋放溶酶體酶，***Si02表面被覆的蛋白質(zhì)而暴露受損的細(xì)胞膜，還可啟動(dòng)脂質(zhì)過(guò)氧化，產(chǎn)生自由基，回收測(cè)試不良電池片多少錢(qián)，損傷甚至巨噬細(xì)胞，的細(xì)胞可刺激臨近成纖維細(xì)胞合成膠原。硅塵重新被釋放出來(lái)，又被其它的巨噬細(xì)胞吞噬，赤峰電池片多少錢(qián)，而產(chǎn)生更多的膠原纖維，回收客退實(shí)驗(yàn)電池片多少錢(qián)，隨著時(shí)間的延續(xù)，病程進(jìn)展引起。各類(lèi)金屬礦山的工、隧道工、耐火材料工業(yè)中的隨石工、玻璃制品和石英磨粉工、清沙工都較易接觸硅塵而發(fā)生。由于防塵工作的大力開(kāi)展，發(fā)病率己有明顯降低，但尚未被完全控制，仍是我國(guó)目前主要的職業(yè)病之一。

硅片本來(lái)是無(wú)害的，如果但過(guò)多攝入鋅對(duì)******，會(huì)引起頭暈、嘔吐和腹瀉等。主要成分是二氧化硅，也就是所謂的沙子，所以一般來(lái)說(shuō)對(duì)***無(wú)害。

硅片是半導(dǎo)體材料，如果是檢測(cè)裸硅片的話(huà)是沒(méi)有任何危害的，但如果你要使用laser的機(jī)臺(tái)的話(huà)注意下激光源。如果是在起碼module比如CVDPVD的話(huà)是有一些有***體的。

按硅片直徑劃分：　　

硅片直徑主要有3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸（300mm），目前已發(fā)展到18英寸（450mm）等規(guī)格。直徑越大，在一個(gè)硅片上經(jīng)一次工藝循環(huán)可制作的集成電路芯片數(shù)就越多，每個(gè)芯片的成本也就越低。因此，回收多晶硅單晶硅電池片多少錢(qián)，更大直徑硅片是硅片制各技術(shù)的發(fā)展方向。但硅片尺寸越大，對(duì)微電子工藝設(shè)各、材料和技術(shù)的要求也就越高?！　?/p>

按單晶生長(zhǎng)方法劃分：　　

直拉法制各的單晶硅，稱(chēng)為CZ硅（片）;磁控直拉法制各的單晶硅，稱(chēng)為MCZ硅（片）;懸浮區(qū)熔法制各的單晶硅，稱(chēng)為FZ硅（片）;用外延法在單晶硅或其他單晶襯底上生長(zhǎng)硅外延層，稱(chēng)為外延（硅片）。