3、刻蝕

在擴散工序，采用背靠背的單面擴散方式，硅片的側(cè)邊和背面邊緣不可避免地都會擴散上磷原子。當(dāng)陽光照射，P-N結(jié)的正面收集到的光生電子會沿著邊緣擴散有磷的區(qū)域流到P-N結(jié)的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并聯(lián)電阻。刻蝕工序是讓硅片邊緣帶有的磷的部分去除干凈，避免了P-N結(jié)短路并且造成并聯(lián)電阻降低。

濕法刻蝕工藝流程：上片→蝕刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→堿槽（KOH）→水洗→HF槽→水洗→下片

HNO3反應(yīng)氧化生成SiO2，HF去除SiO2?？涛g堿槽的作用是為了拋光未制絨面，使電池片變得光滑；堿槽的主要溶液為KOH；H2SO4是為了讓硅片在流水線上漂浮流動起來，并不參與反應(yīng)。

干法刻蝕是用等離子體進行薄膜刻蝕。當(dāng)氣體以等離子體形式存在時，一方面等離子體中的氣體化學(xué)活性會變得相對較強，選擇合適的氣體，就可以讓硅片更快速的進行反應(yīng)，實現(xiàn)刻蝕；另一方面，可利用電場對等離子體進行引導(dǎo)和加速，使等離子體具有一定能量，當(dāng)轟擊硅片的表面時，硅片材料的原子擊出，可以達(dá)到利用物理上的能量轉(zhuǎn)移來實現(xiàn)刻蝕的目的。

電路板如何變臟？

電路板位于許多設(shè)備中，但是它們對灰塵和碎屑的保護并不完全。機器中的縫隙會使灰塵自行進入內(nèi)部。此外，許多較大的設(shè)備中存在的用于防止過熱的風(fēng)扇也會將雜物從空氣中吸到機器內(nèi)部，然后將其放在電路板上。

不同類型的污染物

干污染物–灰塵和污垢是常見的干污染物，廢***觸媒回收，因為它們經(jīng)常存在于空氣或附近的表面中。這些往往更容易清洗。

濕污染物–與干污染物不同的是，像塵垢，助焊劑，蠟狀油和蘇打水這樣的濕污垢需要不同的清潔方法。

電路板的安全與預(yù)防。

化電路板包括電路板主體、電子元件及連接部，***回收價格，電路板主體與連接部相連，連接部表面設(shè)有金屬薄片，金屬薄片上設(shè)有金屬點，電路板主體背部設(shè)有加強板，電路板主體內(nèi)部設(shè)有銅錫層。該電路板化性強，且利用金屬點來與外部電子元件電連接，因此不必?fù)?dān)心金屬薄片氧化的問題，同時還可根據(jù)實際情況選擇電路板的薄厚程度，平?jīng)?**，靈活實用，另外化電路板還實現(xiàn)了把銅錫層設(shè)置在基材內(nèi)部，使其方便連接電容。

隨著電子科技的不斷進步，大部分電子產(chǎn)品均包含有電路板，其上設(shè)置有許多電子零件，用以達(dá)成電子控制功能。但是目前所使用的電路板在化及靈活運用上有所欠缺，***燈回收，同時不能更好的與外部電子元件進行接觸，另外沒有實現(xiàn)將電容設(shè)置在電路板主體內(nèi)部的功能。因此，需要對現(xiàn)有的電路板做出相應(yīng)的改進，相信通過這樣的改進后，能更好的滿足使用者的需求。