光刻膠的分類

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硅片制造中，海南負性光刻膠，光刻膠的目的主要有兩個：（1）將掩模版圖形轉移到硅片表面頂層的光刻膠中；（2）在后續(xù)工藝中，保護下面的材料（例如刻蝕或離子注入阻擋層）。

分類

光刻膠的技術復雜，品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。圖1是正性膠的顯影工藝與負性膠顯影工藝對比結果示意圖 [2]  。

光刻膠

① 工藝角度普通的光刻膠在成像過程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻膠圖形的對比度，從而降低了圖形的分辨率。隨著***加工特征尺寸的縮小，入射光的反射和散射對提高圖形分辨率的影響也越來越大。為了提高***系統(tǒng)分辨率的性能，人們正在研究在***光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術。該技術的引入，負性光刻膠廠家，可明顯減小光刻膠表面對入射光的反射和散射，從而改善光刻膠的分辨率性能，但由此將引起工藝復雜性和光刻成本的增加。② ***系統(tǒng)伴隨著新一代***技術（NGL）的研究與發(fā)展，為了更好的滿足其所能實現光刻分辨率的同時，光刻膠也相應發(fā)展。******技術對光刻膠的性能要求也越來越高。③光刻膠的鋪展如何使光刻膠均勻地，按理想厚度鋪展在器件表面，負性光刻膠哪家好，實現工業(yè)化生產。④光刻膠的材料從光刻膠的材料考慮進行改善。

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光刻膠的應用

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模擬半導體（Analog Semiconductors）發(fā)光二極管（Light-Emitting Diodes LEDs）微機電系統(tǒng)（Microelectromechanical Systems MEMS）太陽能光伏（Solar Photovoltaics PV）微流道和生物芯片（Microfluidics & Biochips）光電子器件/光子器件（Optoelectronics/Photonics）封裝（Packaging）