可控硅和其它半導體器件的區(qū)別

可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件，一般由兩可控硅反向連接而成。它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點開關(guān)以快速接通或切斷電路，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導體器件一樣，其有體積小、、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn)，使半導體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。

可控硅模塊(semiconductormodule)

可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊（semiconductormodule）。早是在1970年由西門康公司將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件。

可控硅模塊的優(yōu)點體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復性好，裝置的機械設(shè)計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優(yōu)點，因而在一誕生就受到了各大電力半導體廠家的熱捧，并因此得到長足發(fā)展。

可控硅模塊受損原因分析

可控硅模塊受損原因

1、電壓擊穿。

可控硅模塊不能承受電壓而損壞，在其芯片中有一個光潔的小孔，有時需要用擴大鏡才能看到，其原因可能是管子本身耐壓下降或者是被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。

2、電流損壞。

如果芯片被燒成一個凹坑，并且非常粗糙，其位置在原理控制極上，這種往往就屬于電流損壞。

3、電流上升率損壞。

如果上述芯片凹坑位置在控制極附近或者是就在控制極上，那么可能就是電流上升率損壞所致。

4、邊緣損壞。

這種受損發(fā)生在芯片芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。

可控硅模塊失控是怎么回事?

可控硅模塊失控是怎么回事？

可控硅模塊也被稱之為功率半導體模塊，體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單，便于維修和安裝，具有諸多優(yōu)點，深受用戶青睞。但是，在實際應用中，可控硅模塊有時也會因為各種原因失控，那么，導致可控硅模塊失控的原因有哪些呢？

首先，一個原因，可能就是可控硅的正向阻斷力降低，比如說在日常使用中，可控硅模塊長時間安放不用，同時，又因為密封不好，很可能會受潮，這種情況下的正向阻斷能力就會降低，如果降低到低于整流變壓器的二次電壓，可控硅模塊就可能會失控了。

其次，一個原因往往就是電路中的維持電流過小所致，因為發(fā)電機轉(zhuǎn)子是以電感為主的大電流負載，對于半控橋來說，電壓過零之后，電流不是零，即使半控橋在電感負載側(cè)設(shè)有續(xù)流管，不過要是續(xù)流管的管壓降高于導通的可控硅模塊的管壓降，電感上的電流除了大部分從續(xù)流管流過之外，仍然會有部分電流在原導通的可控硅過。