中頻磁控濺射鍍膜技術是磁控技術另一新里程碑，作為目前國內(nèi)外***新的中頻孿生靶磁控濺射反應技術，在近幾年得到了迅猛的發(fā)展，除了在制備金屬膜時具有較高的穩(wěn)定性外，在沉積氮化物、氧化物等介質(zhì)膜時，解決了過去直流磁控濺射中弧光放電和陽極消失等問題，并具濺射速率快等優(yōu)點，它能夠在長時間內(nèi)獲得較高的沉積速率和維持穩(wěn)定的鍍膜狀態(tài)。一種中頻反應磁控濺射設備二氧化硅膜設備，包括真空鍍膜室、雙靶、反應氣體供氣管道、工作氣體供氣管道、中頻電源、壓電閥控制器和壓電閥，雙靶裝在屏蔽罩內(nèi)，真空鍍膜室內(nèi)的反應氣體供氣管道位于雙靶的對稱中心線上，中頻電源的兩個輸出端各接到一個靶上，中頻電源的控制線壓電閥控制器，壓電閥和反應氣體供氣管道構成閉環(huán)控制回路。本實用新型提供了一種能使靶面處于過渡狀態(tài)，既能保證膜層的成分，又具有足夠高的沉積速率，實現(xiàn)閉環(huán)控制的中頻雙靶反應磁控濺射制備二氧化硅膜設備。適合鍍制銦錫合金（ITO）、氧化鋁（AL203）、二氧化硅（SiO2）、氧化鈦（TiO2）、氧化硅（Si3N4）等，配置多個靶及膜厚儀可鍍制多層膜。