IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，DDR存儲(chǔ)器加工，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時(shí)，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開(kāi)關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時(shí)主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵極電壓VGE小于開(kāi)啟電壓VGE(th)時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。

IGBT與MOSFET的對(duì)比：

MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。

因?yàn)樵谖覈?guó)半導(dǎo)體材料關(guān)鍵集成ic產(chǎn)出率仍然較低，很多集成ic仍依靠進(jìn)口，據(jù)新材料顯示信息，17年我國(guó)集成電路芯片進(jìn)口使用價(jià)值為2，601億美金，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了石油，DDR存儲(chǔ)器，是在我國(guó)第*大進(jìn)口產(chǎn)品。

在其中CPU、GPU、通用性電子控制系統(tǒng)中的FPGA/DSP、通訊裝備中的MPU和DSP、儲(chǔ)存設(shè)備中的DRAM和NandFlash、也有顯示設(shè)備中的DisplayDriver，這種商品的經(jīng)銷商還是以英國(guó)、日本、日本國(guó)及在我國(guó)臺(tái)灣省主導(dǎo)，全力以赴促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)內(nèi)生產(chǎn)制造的，非常是顯示信息控制面板驅(qū)動(dòng)器IC的國(guó)內(nèi)生產(chǎn)制造的，是現(xiàn)階段的重中之重。

LED器件對(duì)驅(qū)動(dòng)電源的要求幾乎是苛刻的，與普通白熾燈泡不同的是，LED可以與220V交流電力直接連接。發(fā)光二極管是低電壓驅(qū)動(dòng)，需要設(shè)計(jì)復(fù)雜的轉(zhuǎn)換電路，LED燈有不同的用途，DDR存儲(chǔ)器多少錢，電源適配器也有不同的配置。一個(gè)好的電源設(shè)計(jì)必須綜合考慮各種因素，如效率轉(zhuǎn)換，有效功率，恒流精度，電源壽命，電磁兼容性等，因?yàn)殡娫丛谡麄€(gè)燈具中的作用如同人的心臟一樣重要。