MOSFET數(shù)字電路
數(shù)字科技的進步，如微處理器運算效能不斷提升，驅(qū)動ic，帶給深入研發(fā)新一代MOSFET更多的動力，這也使得MOSFET本身的操作速度越來越快，幾乎成為各種半導體主動元件中快的一種。MOSFET在數(shù)字信號處理上的成功來自CMOS邏輯電路的發(fā)明，音頻驅(qū)動ic，這種結(jié)構(gòu)好處是理論上不會有靜態(tài)的功率損耗，燈條驅(qū)動ic，只有在邏輯門（logic gate）的切換動作時才有電流通過。CMOS邏輯門基本的成員是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS邏輯門的基本操作都如同反相器一樣，在邏輯轉(zhuǎn)換的瞬間同一時間內(nèi)必定只有一種晶體管（NMOS或是PMOS）處在導通的狀態(tài)下，另一種必定是截止狀態(tài)，這使得從電源端到接地端不會有直接導通的路徑，大量節(jié)省了電流或功率的消耗，也降低了集成電路的發(fā)熱量。
MOSFET在數(shù)字電路上應用的另外一大優(yōu)勢是對直流（DC）信號而言，MOSFET的柵極端阻抗為無限大（等效于開路），也就是理論上不會有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點，而是完全由電壓控制柵極的形式。這讓MOSFET和他們的競爭對手BJT相較之下更為省電，而且也更易于驅(qū)動。在CMOS邏輯電路里，除了負責驅(qū)動芯片外負載（off-chip load）的驅(qū)動器（driver）外，每一級的邏輯門都只要面對同樣是MOSFET的柵極，如此一來較不需考慮邏輯門本身的驅(qū)動力。相較之下，驅(qū)動 ic，BJT的邏輯電路（例如常見的TTL）就沒有這些優(yōu)勢。MOSFET的柵極輸入電阻無限大對于電路設(shè)計工程師而言亦有其他優(yōu)點，例如較不需考慮邏輯門輸出端的負載效應（loading effect）。
?MOS管驅(qū)動要求
良好的MOSFET驅(qū)動電路需要滿足以下要求：
1、開關(guān)管開啟瞬時，驅(qū)動電路應能提供足夠大的充電電流，使MOSFET柵源極之間的電壓迅速上升到所需的值，以保證開關(guān)管能迅速開啟，且無高頻振蕩沿上升方向。
2、開關(guān)導通期間的驅(qū)動電路能夠保證MOSFET柵源間電壓的穩(wěn)定和可靠導通。
3、關(guān)斷瞬時驅(qū)動電路為MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放提供了盡可能低的阻抗，保證了開關(guān)管的快速關(guān)斷。
4、驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)簡單可靠，損耗小。
5、視情況實行隔離。
現(xiàn)在市面上實際應用的多是平面工藝的MOSFET，在開關(guān)電源等領(lǐng)域應用非常普遍，一般作為百開關(guān)管使用。實際的MOSFET有別于理想的MOSFET，柵極和源度極，源極和漏極都是存在電容的，要用合適的驅(qū)動電路才能使MOS管工作在低導通損耗的開關(guān)狀態(tài)。比如600V的MOS管多用8-12V的柵極電壓驅(qū)動，并且要求一定的驅(qū)動能力。
也可以內(nèi)用示波器看MOS管的波形，看是否工作在完全導通狀態(tài)，上升和下降時間在輻射容滿足要求的情況下，盡量的陡峭。
